[发明专利]一种银纳米线焊接方法有效
| 申请号： | 201611174031.4 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106513959B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘浪;于尧;柳林;吴跃 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B23K10/02 | 分类号： | B23K10/02 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 王世芳 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种银纳米线焊接方法，属于纳米焊接技术领域，其包括如下步骤：(1)将氦气导入等离子体发生装置中，接着对氦气施加高压脉冲电压以使氦气生成室温常压等离子体，然后将室温常压等离子体经由导管导出，获得室温常压等离子体射流；(2)将银纳米线薄膜置于室温常压等离子体射流下方，以使被等离子体射流辐射到的区域内的银纳米线交叉点处发生纳米级焊接；(3)在二维平面内移动银纳米线薄膜，以实现更大面积焊接。本发明方法可有效地将彼此分离的银纳米线在交叉点处焊接在一起，且不会对银纳米线原本的线状结构造成任何破坏，其焊接过程简单易行、省时高效，设备成本低廉，并且可实现大规模焊接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 焊接 方法 | ||
【主权项】：
1.一种银纳米线焊接方法，其特征在于，其包括如下步骤：(1)将氦气作为工作气体导入等离子体发生装置中，接着对氦气施加高压脉冲电压以使所述氦气生成室温常压等离子体，然后将所述室温常压等离子体经由导管导出，从而获得室温常压等离子体射流；(2)将银纳米线薄膜置于所述室温常压等离子体射流下方，以使被等离子体射流辐射到的区域内的银纳米线交叉点处发生纳米级焊接，所使用的等离子体射流是在室温常压条件下生成，无需任何特殊环境，样品处理直接在空气环境下完成；(3)在二维平面内移动所述银纳米线薄膜，以实现更大面积的银纳米线薄膜上交叉点的纳米焊接。
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