[发明专利]一种增加双面组件背面发电量的方法在审
申请号: | 201611174391.4 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN106784099A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 汤田浩;蒋银峰;周凯炜 | 申请(专利权)人: | 韩华新能源(启东)有限公司 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;H02S40/22;H01L31/18 |
代理公司: | 南通市永通专利事务所32100 | 代理人: | 葛雷,王惠祥 |
地址: | 226200 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种增加双面组件背面发电量的方法,包括由双面发电太阳能光伏组件组成的地面电站,在所述地面电站的地面铺设增加反光的材料,提高地面的反射率;且在双面发电太阳能光伏组件的背板玻璃内表面,镀有ETFE陷光膜,增加背板的透光率。本发明结构合理,可有效增加发电量。 | ||
搜索关键词: | 一种 增加 双面 组件 背面 发电量 方法 | ||
【主权项】:
一种增加双面组件背面发电量的方法,包括由双面发电太阳能光伏组件组成的地面电站,其特征是:在所述地面电站的地面铺设增加反光的材料,提高地面的反射率;且在双面发电太阳能光伏组件的背板玻璃内表面,镀有ETFE陷光膜,增加背板的透光率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的