[发明专利]一种基于单片机控制的多功能数据存储电路

摘要

本发明提供了一种基于单片机控制的多功能数据存储电路，包括主控电路、RTC定时电路、U盘存储电路、双口RAM和SRAM存储电路，8位输入信号从双口RAM的一端进入，主控电路通过CS片选信号控制输入信号流向；当CS1置0时，输入信号被单片机读入；当CS2置0时，输入信号向外部系统输出；进入单片机的数据进入SRAM进行缓存，当片选端CS0置0时，SRAM电路进行数据的读写；RTC时钟/日历电路为进入单片机的数据加入时间标记；U盘存储电路将异步串行输出的缓存数据转换为USB协议后存入可移动存储U盘。本发明为雷达等大型设备提供了高速数据多样化存储需求的解决方案，简化了电路，降低了成本。

主权项

一种基于单片机控制的多功能数据存储电路，包括主控电路、RTC定时电路、U盘存储电路、双口RAM和SRAM存储电路，其特征在于：所述的主控电路包含了单片机最小电路，对外通过I2C总线与RTC定时电路相连接，通过串口与U盘存储电路相连接，通过10位地址线A[9:0]和8位数据线AD[7:0]与双口RAM相连接，通过19位地址线A[18:0]和8位数据线AD[7:0]与SRAM相连接；其中AD[7:0]为地址数据复用线，当主控电路输出ALE信号为高电平时，AD[7:0]作为地址线；当主控电路输出ALE信号为低电平时，AD[7:0]作为数据线使用；所述的双口RAM的两端相互独立，选择其中一端作为外部数据信号输入端，由10位地址线AR[9:0]和8位数据线DR[7:0]控制数据的写入操作；另一端作为数据信号输出端，由10位地址线A[9:0]和8位数据线AD[7:0]控制数据的读出操作；双口RAM的8位读出数据线AD[7:0]与锁存器IC3的输入端D[7:0]相连接，锁存器IC3的数据输出端Q[7:0]连接外部系统；单片机的片选信号输出端CS1连接到双口RAM的片选端口，单片机的片选信号输出端CS2连接到锁存器IC3的片选端口，通过片选信号控制输入数据是流入单片机还是流向外部系统；所述的SRAM作为单片机的外部缓存器，由连接单片机的19位地址线A[18:0]和8位数据线AD[7:0]访问SRAM，进行数据的写入和读出；SRAM的片选端连接单片机的片选信号输出端CS0，以此控制SRAM的工作；SRAM的低8位地址线A[7:0]与锁存器IC5的输出端Q[7:0]相连接，锁存器IC5的数据输入端D[7:0]与AD[7:0]相连接；所述的RTC定时电路生成时钟/日历信号，通过时钟线SCL和数据线SDA与主控电路单片机相应端口相连接；所述的U盘存储电路通过RXD和TXD两条线与单片机相连接，U盘存储电路将异步串行通信协议数据转换为USB协议后存储到外接U盘。