[发明专利]一种导电氧化钛陶瓷溅射靶材及其制备方法有效
申请号: | 201611175290.9 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN108203297B | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 杨晔;兰品军;宋伟杰;朱永明 | 申请(专利权)人: | 宁波森利电子材料有限公司 |
主分类号: | C04B35/46 | 分类号: | C04B35/46;C04B35/626 |
代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人: | 马莉华;陆凤 |
地址: | 315176 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种导电氧化钛陶瓷溅射靶材及其制备方法。具体地,本发明公开了一种氧化钛靶材的制备方法,包括如下步骤:1)提供改性的氧化钛纳米粉体;2)将所述改性的氧化钛纳米粉体压制成型为陶瓷坯体;3)在真空气氛或惰性气氛下,烧结处理所述陶瓷坯体,得到所述氧化钛靶材。本发明还公开了使用所述方法制得的氧化钛靶材及以所述靶材溅射所得氧化钛薄膜。所述方法工艺简单、成本低且易于获得性能均一稳定的氧化钛靶材,进而可获得性能优异的氧化钛薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 导电 氧化 陶瓷 溅射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种氧化钛靶材的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1)提供改性的氧化钛纳米粉体;2)将所述改性的氧化钛纳米粉体压制成型为陶瓷坯体;3)在真空气氛或惰性气氛下,烧结处理所述陶瓷坯体,得到所述氧化钛靶材。
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