[发明专利]具有硅锗鳍片的半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611175654.3 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN107017302A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 朱德尚·R·侯尔特;乔迪·A·佛罗霍海瑟;诚康国;绍高·莫基祖基;史蒂芬·W·贝代尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有硅锗鳍片的半导体结构及其制造方法，其一方面包括一种半导体结构，该半导体结构包括位于衬底上的一组鳍片，该组鳍片包括松弛硅锗层；以及位于该组鳍片中的各鳍片之间的介电质；其中，n型场效应晶体管(nFET)区域中的各鳍片还包括位于该nFET区域中的各鳍片的该松弛硅锗层上方的应变硅层；其中，p型场效应晶体管(pFET)区域中的各鳍片还包括位于该pFET区域中的各鳍片的该松弛硅锗层上方的应变硅锗层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 硅锗鳍片 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体结构的方法，该方法包括：在衬底上方形成硅锗超晶格；在该硅锗超晶格内形成一组鳍片；在该组鳍片中的各鳍片之间形成介电质；在该组鳍片的第一部分及其之间的该介电质上方形成应变硅层；以及在该组鳍片的第二部分及其之间的该介电质上方形成应变硅锗层。
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