[发明专利]一种氧化镱掺杂低温制备PZT基压电陶瓷在审
| 申请号： | 201611176135.9 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106673648A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘洪;张倩;朱建国;余萍;宋慧瑾 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C04B35/491 | 分类号： | C04B35/491;C04B35/622;C04B41/88 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化镱掺杂低温烧结高压电性PZT基陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷的通式为xPb(Ni1/3Nb2/3)O3–yPb(Mg1/2W1/2)O3–(1–x–y)Pb(Zr0.3Ti0.7)O3+u wt% Ba(W1/2Cu1/2)+v mol% Yb2O3表示，0.1≤x≤0.8，0.02≤y≤0.15,0.01≤u≤0.5,0≤v≤0.4。采用固相反应法制备氧化镱掺杂850~950°C低温烧结的PZT基压电陶瓷粉体，再经过造粒，压片，排胶，烧结，烧银，极化等工艺制备陶瓷材料。结果表明，在850~950°C的烧结温度下制备得到了氧化镱掺杂的PZT基陶瓷材料，其晶粒致密、晶粒均匀、结晶充分，液相烧结特征明显，压电性能大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化镱 掺杂 低温 制备 pzt 压电 陶瓷 | ||
【主权项】：
一种氧化镱掺杂PZT基压电陶瓷，其特征在于该压电陶瓷的化学通式为xPb(Ni1/3Nb2/3)O3– yPb(Mg1/2W1/2)O3– (1–x–y)Pb(Zr0.3Ti0.7)O3+ u wt% Ba(W1/2Cu1/2)+ v mol% Yb2O3，0.1≤x≤0.8，0.02≤y≤0.15, 0.01≤u≤0.5, 0≤v≤0.4。
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