[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201611176621.0 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108203075B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 俞宏俊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述MEMS器件包括：基底；振膜，位于所述基底的上方；背板，位于所述振膜的上方；空腔，位于所述振膜和所述背板之间；其中，在与所述振膜相对的所述背板的表面上形成有若干向所述振膜方向延伸的停止结构，所述停止结构呈中空的环形形状。本发明中新的停止结构设计(design Stopper)采用更细的环形结构，能有效的减少整体的接触面积。减少粘合力，在振膜(下极板)灵敏度相同的情况下，新结构的可靠性更好。此外，本申请还优化了停止结构的图样的密度设计，四周密集的分布，中间的稀疏分布，能更有效的防止下极板中间区域的失效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：基底；振膜，位于所述基底的上方；背板，位于所述振膜的上方；空腔，位于所述振膜和所述背板之间；其中，在与所述振膜相对的所述背板的表面上形成有若干向所述振膜方向延伸的停止结构，所述停止结构呈中空的环形形状。
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