[发明专利]一种图像传感器及其制作方法有效
申请号: | 201611177107.9 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN106449687B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 王欣洋;马成;李扬;周泉;武大猷 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/77 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 130033 吉林省长春*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本申请公开了一种图像传感器及其制作方法,其中,所述图像传感器在利用走线层遮挡所述存储节点有源区正面光线的同时,利用贯穿所述绝缘填充层,且位于所述存储节点的有源区外侧区域的所述遮光结构对斜入射的光线进行遮挡,以实现尽可能降低所述存储节点的有源区接收到的光线的目的,从而降低所述图像传感器在全局曝光过程中产生的寄生光生电荷的数量,进而降低所述图像传感器的图像失真程度。 | ||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括像素阵列、位于所述像素阵列表面的绝缘填充层以及位于所述绝缘填充层表面的走线层,其中,所述像素阵列包括多个像素和多个存储节点,所述走线层与所述像素阵列中的像素电连接,其特征在于,所述图像传感器还包括:与所述存储节点数量相同的遮光结构,每个所述遮光结构贯穿所述绝缘填充层,且位于所述存储节点的有源区外侧区域;当所述走线层为至少两层,且相邻所述走线层之间均具有绝缘填充层时;每个遮光结构具有多层遮光单元,且每层所述遮光单元位于一层所述绝缘填充层中;位于相邻的所述绝缘填充层中的两层遮光单元中,靠近所述像素阵列的遮光单元的分布范围小于远离所述像素阵列的遮光单元的分布范围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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