[发明专利]一种图像传感器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201611177107.9 申请日: 2016-12-19
公开(公告)号: CN106449687B 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 王欣洋;马成;李扬;周泉;武大猷 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/77
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 130033 吉林省长春*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 本申请公开了一种图像传感器及其制作方法,其中,所述图像传感器在利用走线层遮挡所述存储节点有源区正面光线的同时,利用贯穿所述绝缘填充层,且位于所述存储节点的有源区外侧区域的所述遮光结构对斜入射的光线进行遮挡,以实现尽可能降低所述存储节点的有源区接收到的光线的目的,从而降低所述图像传感器在全局曝光过程中产生的寄生光生电荷的数量,进而降低所述图像传感器的图像失真程度。
搜索关键词: 一种 图像传感器 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括像素阵列、位于所述像素阵列表面的绝缘填充层以及位于所述绝缘填充层表面的走线层,其中,所述像素阵列包括多个像素和多个存储节点,所述走线层与所述像素阵列中的像素电连接,其特征在于,所述图像传感器还包括:与所述存储节点数量相同的遮光结构,每个所述遮光结构贯穿所述绝缘填充层,且位于所述存储节点的有源区外侧区域;当所述走线层为至少两层,且相邻所述走线层之间均具有绝缘填充层时;每个遮光结构具有多层遮光单元,且每层所述遮光单元位于一层所述绝缘填充层中;位于相邻的所述绝缘填充层中的两层遮光单元中,靠近所述像素阵列的遮光单元的分布范围小于远离所述像素阵列的遮光单元的分布范围。
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