[发明专利]碳化硅半导体器件有效
| 申请号： | 201611177191.4 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN107068732B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 山田俊介;日吉透;增田健良;和田圭司 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种碳化硅半导体器件(1)，包括元件区(IR)以及保护环区(5)。半导体元件(7)设置在元件区(IR)中。保护环区(5)在平面图中围绕元件区(IR)并且具有第一导电类型。半导体元件(7)包括具有与第一导电类型不同的第二导电类型的漂移区(12)。保护环区(5)包括线性区(B)以及接续连接至线性区(B)的曲率区(A)。通过将曲率区(A)的内周部(2c)的曲率半径(R)除以所述漂移区(12)的厚度(Tl)获得的值为不小于5且不大于10，所述保护环区中的杂质浓度为不小于8×10 |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件，包括：设置有半导体元件的元件区；以及具有第一导电类型并且在平面图中围绕所述元件区的保护环区，所述半导体元件包括具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的漂移区，所述保护环区包括线性区以及接续地连接至所述线性区的曲率区，通过将所述曲率区的内周部的曲率半径除以所述漂移区的厚度获得的值为不小于5且不大于10，所述保护环区中的杂质浓度为不小于8×1012cm‑2且不大于1.4×1013cm‑2。
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