[发明专利]硅片水膜去水装置有效
申请号: | 201611177358.7 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN106653656B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 孙铁囤;汤平;姚伟忠 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306;C23F1/08 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 郑云 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及硅片生产设备技术领域,尤其是涉及一种硅片水膜去水装置,包括水槽,所述水槽的一端为硅片的输入端,所述水槽的另一端为硅片的输出端,所述水槽内转动设置有用于输送硅片的输送辊,所述水槽外设有用于驱动输送辊转动的电机,所述水槽上设有压平板,所述压平板位于所述输送辊上方,所述压平板具有水平段和导向段,所述导向段位于水槽上靠近输入端的一端,所述水平段为平面,本发明能够有效的去除硅片水膜多余的水,使得水膜均匀铺平在硅片上,良好的适用性,降低了生产成本,避免了硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小,为了达到要求的浓度,要不断的增加供酸量,无形中增加了生产成本的问题。 | ||
搜索关键词: | 硅片 水膜去水 装置 | ||
【主权项】:
一种硅片水膜去水装置,其特征在于:包括水槽(1),所述水槽(1)的一端为硅片(2)的输入端(101),所述水槽(1)的另一端为硅片(2)的输出端(102),所述水槽(1)内转动设置有用于输送硅片(2)的输送辊(3),所述水槽(1)外设有用于驱动输送辊(3)转动的电机(4),所述水槽(1)上设有压平板(5),所述压平板(5)位于所述输送辊(3)上方,所述压平板(5)具有水平段(501)和导向段(502),所述导向段(502)位于水槽(1)上靠近输入端(101)的一端,所述水平段(501)为平面,所述导向段(502)沿硅片(2)的输送方向为向下倾斜的第一斜面,所述导向段(502)的低端与所述水平段(501)固定连接,所述压平板(5)下底面设有分液板(6),所述分液板(6)位于导向段(502)处,所述分液板(6)下底面与所述水平段(501)下底面相互水平设置,所述分液板(6)沿输送辊(3)轴向的两侧均设有第二斜面,所述分液板(6)两侧的第二斜面沿硅片(2)的输送方向由内向外逐渐向上倾斜,所述水槽(1)上设有用于控制压平板(5)靠近或者远离输送辊(3)的调节机构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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