[发明专利]一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法有效
| 申请号： | 201611177450.3 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106802427B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 孙静;郭旗;施炜雷;于新;何承发;余学峰;陆妩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 主分类号： | G01T1/02 | 分类号： | G01T1/02;G05B19/042 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 陈广民 |
| 地址： | 830011 新疆维吾*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明涉及辐射环境探测技术领域，涉及一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法。该探测系统包括探头模块、恒流源模块、数据采集模块和控制模块；所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与恒流源模块、数据采集模块和探头模块相连；所述恒流源模块与探头模块相连；所述数据采集模块的输入端与探头模块相连，数据采集模块的输出端与PC机相连；所述探头模块包括SOI结构的辐照传感器。本发明实现了星用PMOS剂量计的传感器国产化；提高了灵敏度，可用于更低累积剂量的测试；基于此结构的探测器便携、灵活、易用，适用于空间环境监测、半导体元器件电离效应评估及寿命预测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 结构 电离 剂量 探测 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于SOI结构的电离总剂量探测方法，其特征在于：包括以下步骤：1】筛选辐照传感器：将辐照传感器置于能够产生电离辐射损伤的辐照源中，通过移位测试获取阈值电压漂移量，确认该辐照传感器对电离损伤敏感；2】搭建基于SOI结构的电离总剂量探测系统；所述基于SOI结构的电离总剂量探测系统包括探头模块、恒流源模块、数据采集模块和控制模块；所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与恒流源模块、数据采集模块和探头模块相连；所述恒流源模块与探头模块相连；所述数据采集模块的输入端与探头模块相连，数据采集模块的输出端与PC机相连；所述探头模块包括SOI结构的辐照传感器；3】通过选择电阻阻值调整探测系统硬件参数；通过设置PC机软件确定数据采集参数，并使之固化；4】将探头模块置于辐照源下辐照，同时通过设置PC机软件在线采集探测器的响应和温度；5】采集探测系统电离辐照响应与剂量的关系。
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