[发明专利]一种复合量子点发光二极管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201611178281.5 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106784392B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 梁柱荣;曹蔚然 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/54 | 分类号： | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种复合量子点发光二极管器件及其制备方法，所述器件包括阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，其中，发光层是由量子点发光材料和有机‑无机杂化钙钛矿材料组成的量子点复合发光层。本发明基于量子点发光材料能与有机‑无机杂化钙钛矿材料产生协同作用，产生激发态络合物电致发光，不仅增强了QLED器件的发光效率、降低器件的开启电压，而且通过改变偏压，可以使QLED器件显示出不同颜色的光，且对于具有不同结构的量子点复合发光层，外加偏压对QLED器件的发光颜色具有不同程度的调控作用；此外，有机‑无机杂化钙钛矿层的引入，还能改善QLED器件的界面性质、发光均匀性以及器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 量子 发光二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种复合量子点发光二极管器件，从下至上依次包括阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，其特征在于，所述发光层为量子点复合发光层，所述量子点复合发光层由量子点发光材料和有机‑无机杂化钙钛矿材料组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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