[发明专利]通孔上MTM反熔丝结构及其制备工艺在审
| 申请号： | 201611178341.3 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106601718A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王印权;郑若成;洪根深;赵文彬;徐海铭;吴素贞 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 总装工程兵科研一所专利服务中心32002 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通孔上MTM反熔丝结构及其制备工艺，其包括衬底以及位于所述衬底上的器件层；在所述器件层上压盖有熔丝封体，在所述熔丝封体内设有熔丝下电极，在所述熔丝封体外设有熔丝上电极，所述熔丝上电极位于熔丝下电极的正上方；在所述熔丝上电极与熔丝下电极间设有反熔丝介质结构以及反熔丝底层阻挡体，所述反熔丝底层阻挡体在熔丝封体内包裹熔丝下电极的顶端，反熔丝介质结构支撑于反熔丝底层阻挡体上，熔丝上电极支撑于反熔丝介质结构上。本发明结构紧凑，能减少光刻次数，工艺操作简单，降低工艺成本，提高集成度，提升反熔丝的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔上 mtm 反熔丝 结构 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种通孔上MTM反熔丝结构，包括衬底(1)以及位于所述衬底(1)上的器件层(2)；其特征是：在所述器件层(2)上压盖有熔丝封体(20)，在所述熔丝封体(20)内设有熔丝下电极，在所述熔丝封体(20)外设有熔丝上电极(21)，所述熔丝上电极(21)位于熔丝下电极的正上方；在所述熔丝上电极(21)与熔丝下电极间设有反熔丝介质结构以及反熔丝底层阻挡体(17)，所述反熔丝底层阻挡体(17)在熔丝封体内包裹熔丝下电极的顶端，反熔丝介质结构支撑于反熔丝底层阻挡体(17)上，熔丝上电极(21)支撑于反熔丝介质结构上。
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