[发明专利]一种提高晶圆键合程度的方法

摘要

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种提高晶圆键合程度的方法，包括：退火处理所述氮化硅薄膜，形成一金属层，覆盖所述氮化硅薄膜表面，图形化所述金属层，以于所述所述氮化硅薄膜表面形成金属栅格，并于图形化所述金属层时，去除位于所述金属层被去除部分下方的所述氮化硅薄膜，以于所述金属栅格之间暴露所述氧化物层。本发明方法通过形成一氮化硅薄膜，在氮化硅薄膜经过退火处理之后，使得氮化硅薄膜中的氢离子能够充分的与硅衬底界面硅原子的悬挂键键合，减少硅衬底中悬挂键个数，提高晶圆键合程度，去除传统工艺中于金属栅格形成之前刻蚀氮化硅薄膜过程，于金属栅格制程中去除金属层被去除部分下方的氮化硅薄膜，达到简化工艺的目的。

主权项

1.一种提高晶圆键合程度的方法，应用于图像传感器器件的制备工艺，其特征在于，包括：步骤S1、提供一硅衬底，于所述硅衬底上形成一介质层，所述介质层覆盖所述衬底表面；步骤S2、形成一氧化物层，覆盖所述介质层表面；步骤S3、形成一氮化硅薄膜，覆盖所述氧化物层表面；步骤S4、退火处理所述氮化硅薄膜；步骤S5、形成一金属层，覆盖所述氮化硅薄膜表面；步骤S6、图形化所述金属层，以于所述所述氮化硅薄膜表面形成金属栅格，并于图形化所述金属层时，去除位于所述金属层被去除部分下方的所述氮化硅薄膜，以于所述金属栅格之间暴露所述氧化物层。