[发明专利]OLED显示装置及其制作方法有效
申请号: | 201611179978.4 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN106601775B | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 汤金明;倪晶 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种OLED显示装置及其制作方法,通过在红、绿、蓝色OLED器件的阳极层中分别设置第一、第二、第三透明半导体层,并且将所述第一、第二、第三透明半导体层设置为不同的厚度来实现红、绿、蓝色OLED器件的发光效率分别达到最佳,所述第一、第二、第三透明半导体层通过利用三道掩膜板进行等离子体增强化学气相沉积的方法沉积形成,与传统的OLED显示装置相比,本发明中分别设置于红、绿、蓝色OLED器件中的空穴传输层的厚度相等,可以采用一道普通金属掩膜板在同一道蒸镀制程中形成,由于利用FMM沉积无机膜的技术相对于沉积有机膜的技术更成熟且有更高的良率,所以从总体来讲,本发明的技术方案具有明显的制程优势。 | ||
搜索关键词: | oled 显示装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种OLED显示装置,其特征在于,包括基板(100)、以及数个阵列排布于所述基板(100)上的红色OLED器件(210)、绿色OLED器件(220)及蓝色OLED器件(230);所述红色OLED器件(210)、绿色OLED器件(220)及蓝色OLED器件(230)均包括在所述基板(100)上从下到上依次设置的第一透明导电金属氧化物层(201)、金属层(202)、透明半导体层(203)、第二透明导电金属氧化物层(204)、空穴注入层(205)、空穴传输层(206)、发光层(207)、电子传输层(208)及阴极层(209);所述红色OLED器件(210)、绿色OLED器件(220)及蓝色OLED器件(230)的透明半导体层(203)分别为第一透明半导体层(213)、第二透明半导体层(223)及第三透明半导体层(233);所述红色OLED器件(210)、绿色OLED器件(220)及蓝色OLED器件(230)的发光层(207)分别为红色发光层(217)、绿色发光层(227)及蓝色发光层(237);所述第一、第二、第三透明半导体层(213、223、233)的材料相同,且折射率为ηP;所述第二透明导电金属氧化物层(204)的折射率为ηI;所述空穴注入层(205)的折射率为ηJ;所述空穴传输层(206)的折射率为ηT;所述红色发光层(217)发出的红光的峰值波长为λR,所述绿色发光层(227)发出的绿光的峰值波长为λG,所述蓝色发光层(237)发出的蓝光的峰值波长为λB;所述第一、第二、第三透明半导体层(213、223、233)的厚度分别定义为dRP、dGP、dBP,所述第二透明导电金属氧化物层(204)的厚度定义为dI,所述空穴注入层(205)的厚度定义为dJ,所述空穴传输层(206)的厚度定义为dT;那么,所述dRP、dI、dJ、dT之间的关系满足关系式(1):ηP×dRP+ηI×dI+ηJ×dJ+ηT×dT=(2mR+1)λR/4 (1);其中,mR为自然数;所述dGP、dI、dJ、dT之间的关系满足关系式(2):ηP×dGP+ηI×dI+ηJ×dJ+ηT×dT=(2mG+1)λG/4 (2);其中,mG为自然数;所述dBP、dI、dJ、dT之间的关系满足关系式(3):ηP×dBP+ηI×dI+ηJ×dJ+ηT×dT=(2mB+1)λB/4 (3);其中,mB为自然数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的