[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201611180049.5 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106783950A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李东键;金荣善;骆薇薇;孙在亨 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 郑彤,万志香 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市唐家湾镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓半导体器件及其制备方法，所述氮化镓半导体器件包括依次层叠的基板、缓冲层、高阻抗层、非有意掺杂氮化镓层、通道层以及电极；所述高阻抗层包括多层交替生长的非掺杂氮化镓层和碳掺杂氮化镓层。该氮化镓半导体器件为了改善击穿电压及漏电(leakage)的特性，将多层的非掺杂氮化镓层(Un‑doped GaN)和碳掺杂氮化镓层(C‑doped GaN)交叉生长，能改善高阻抗层的品质使其能生长得更厚，可以使底部上升的位错弯曲。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓半导体器件，其特征在于，包括依次层叠的基板、缓冲层、高阻抗层、非有意掺杂氮化镓层、通道层、氮化镓铝层以及电极层；所述高阻抗层包括多层交替生长的非掺杂氮化镓层和碳掺杂氮化镓层。
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