[发明专利]图像传感器及半导体装置的制作方法

摘要

本申请案涉及图像传感器及半导体装置的制作方法。一种图像传感器制作方法包含提供半导体材料、绝缘层及逻辑层，其中所述半导体材料包含多个光电二极管。形成从所述半导体材料延伸穿过所述绝缘层且延伸到所述逻辑层中的穿半导体通孔。利用封盖层封盖所述穿半导体通孔。在所述半导体材料中的第一沟槽中安置金属垫。在所述封盖层上及所述半导体材料中的所述第一沟槽中沉积绝缘材料。在所述绝缘材料中的第二沟槽中沉积抗蚀剂，且所述绝缘材料中的所述第二沟槽与所述金属垫对准。移除所述绝缘材料以暴露所述封盖层，且还移除所述封盖层的接近于所述多个光电二极管安置的一部分。接近于所述多个光电二极管形成金属栅格。

主权项

1.一种图像传感器制作方法，其包括：提供半导体材料、绝缘层及逻辑层，其中所述绝缘层安置于所述半导体材料与所述逻辑层之间，其中所述半导体材料包含多个光电二极管，且其中穿半导体通孔从所述半导体材料延伸穿过所述绝缘层且延伸到所述逻辑层中；利用封盖层封盖所述穿半导体通孔，其中所述封盖层接近于所述半导体材料安置，且其中所述封盖层的横向界限延伸跨越所述穿半导体通孔的横向界限及所述多个光电二极管的横向界限；形成安置于所述半导体材料中的第一沟槽中的金属垫；在所述封盖层上及所述半导体材料中的所述第一沟槽中沉积绝缘材料，其中所述金属垫由所述绝缘材料覆盖；在所述绝缘材料中的第二沟槽中沉积抗蚀剂，其中所述绝缘材料中的所述第二沟槽与所述金属垫对准；移除所述绝缘材料以暴露所述封盖层；移除所述封盖层的接近于所述多个光电二极管安置的一部分；及接近于所述多个光电二极管形成金属栅格。