[发明专利]一种GaAs PIN光电探测器件含硅化合物的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201611180851.4 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106784143B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰;余晓波 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/311 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造业技术领域，尤其涉及一种GaAs PIN光电探测器件含硅化合物的刻蚀方法，所述GaAs PIN光电探测器件具体为在晶圆上生长含硅化合物，在含硅化合物上采用光刻工艺形成刻蚀图形，该方法包括如下步骤：采用2‑5次反应离子束方法刻蚀含硅化合物，每次按照预设时长刻蚀含硅化合物；采用BOE腐蚀液进行湿法刻蚀工艺，从而提高了刻蚀效率。 | ||
| 搜索关键词： | 含硅化合物 刻蚀 光电探测器件 半导体制造业 反应离子束 光刻工艺 刻蚀图形 刻蚀效率 湿法刻蚀 预设时长 腐蚀液 晶圆 生长 | ||
【主权项】：
1.一种GaAs PIN光电探测器件含硅化合物的刻蚀方法，所述GaAs PIN光电探测器件具体为在晶圆上生长含硅化合物，在含硅化合物上采用光刻工艺形成刻蚀图形，其特征在于，包括如下步骤：采用2‑5次反应离子束方法刻蚀含硅化合物，每次按照预设时长刻蚀含硅化合物；其中，预设时长为至多5分钟，每次刻蚀深度为0.2～0.3μm，每次刻蚀后需冷却至室温；采用BOE腐蚀液进行湿法刻蚀工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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