[发明专利]一种InGaP的湿法刻蚀方法有效
| 申请号： | 201611180884.9 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106486355B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造业技术领域，尤其涉及一种InGaP的湿法刻蚀方法，包括如下步骤：在衬底或外延层上生长InGaP层；采用湿法刻蚀方法对衬底或外延层进行刻蚀，并在InGaP层上生长SiN层；采用反应离子束刻蚀方法刻蚀SiN层；采用稀盐酸清洗晶圆表面，去除表面氧化物薄层；采用弱氨水清洗晶圆表面，去除稀盐酸处理晶圆表面后残留的H+离子，并对悬挂键挂上OH‑；采用浓盐酸与磷酸的混合酸液，刻蚀InGaP层；采用弱氨水清洗晶圆表面，去除InGaP处理晶圆表面后残留的H+离子，并对悬挂键挂上OH‑，从而有效地去除前道工艺对InGaP层表面的影响，保证HBT工艺的顺利进行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingap 湿法 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种InGaP的湿法刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底或外延层上生长InGaP层；采用湿法刻蚀方法对衬底或外延层进行刻蚀，并在InGaP层上生长SiN层；采用反应离子束刻蚀方法刻蚀SiN层；采用稀盐酸清洗晶圆表面，去除表面氧化物薄层；采用弱氨水清洗晶圆表面，去除稀盐酸处理晶圆表面后残留的H+离子，使得悬挂键挂上OH‑；采用浓盐酸与磷酸的混合酸液，刻蚀InGaP层；采用弱氨水清洗晶圆表面，去除残留的H+离子，使得悬挂键挂上OH‑。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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