[发明专利]具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法

摘要

一种具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上分子束外延生长形成一吸收增强层；在吸收增强层的上表面分子束外延生长形成一吸收层，吸收层为N结构II类超晶格结构；完成具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器的制备。本发明通过采用N结构II类超晶格材料作为吸收层，同时引入吸收增强层，使得器件在目标波长处可获得高达80％的高量子效率，并且在目标波长附近体现了良好的窄带宽特性。

主权项

1.一种具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在衬底上形成一吸收增强层，所述吸收增强层为能够促进吸收增强的周期排列结构；步骤2、在所述吸收增强层的上表面形成一吸收层，所述吸收层为II类超晶格结构；步骤3、完成所述具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器的制备，其中，所述吸收增强层为由A1AsSb/GaSb或InAlAsSb/GaSb交替生长形成的周期排列结构。