[发明专利]一维硅碳负极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201611181142.8 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106784680A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 孟博;杜显振;张洁;关成善 | 申请（专利权）人： | 山东精工电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所37218 | 代理人： | 张世静 |
| 地址： | 277800 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一维硅碳负极材料及其制备方法，该硅碳负极材料主要由硅纳米线、钝化膜和高温裂解碳组成。本发明针对单质硅的缺点，对硅进行纳米化，采用一维硅纳米线为硅源，在氧化性气氛中在其表面形成一层钝化膜，作为保护层，来抑制其体积膨胀。并以高温裂解碳包覆，一方面可以作为包覆层保护硅纳米线，避免其与电解液的直接接触。另一方面，又可提高单质硅的电导率。本发明合成的硅碳复合材料作为锂离子电池负极时，表现出了优异的电化学性能和良好的循环稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一维硅碳 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一维硅碳负极材料，其特征在于，所述负极材料由硅纳米线、钝化膜和高温裂解碳组成，呈三层夹心结构，其中最内层为硅纳米线，占硅碳负极材料总质量的5‑50%，中间层为钝化膜，占硅碳负极材料总质量的0.5‑10%，最外层为高温裂解碳，占硅碳负极材料总质量的40‑85%。
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