[发明专利]一种氮化物锁模回音壁微激光器及其制备方法有效
申请号: | 201611181765.5 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN106785896B | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 朱刚毅;王永进 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01S5/06 | 分类号: | H01S5/06;H01S5/065;H01S5/10 |
代理公司: | 江苏爱信律师事务所 32241 | 代理人: | 刘琦 |
地址: | 210003 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种氮化物锁模回音壁微激光器及其制备方法,在硅衬底上的氮化物材料,利用光刻工艺和深硅刻蚀工艺制备悬空的带缺口的环形薄膜微腔,然后在微腔的缺口中修饰金纳米棒作为半导体饱和吸收体,在合适的光泵浦条件下,实现氮化物的锁模回音壁激光。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化物 回音壁 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种氮化物锁模回音壁微激光器,其特征在于,该激光器以硅基氮化物晶片为载体,包括硅基底、设置在所述硅基底上的硅柱、由所述硅柱支撑的悬空的环形薄膜微腔结构,所述环形薄膜微腔结构由氮化物构成,包括环形的本体(I)、设置在所述本体(I)内部的微腔、设置在本体(I)中将微腔与外部连通的缺口(II),所述缺口(II)中修饰有金纳米棒,所述缺口(II)中修饰的金纳米棒,在光泵浦条件下,作为半导体饱和吸收体对微腔中的激光进行调制,实现氮化物的锁模回音壁激光。
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