[发明专利]高成功率的碳纳米管单分子结制备方法在审

专利信息
申请号: 201611182105.9 申请日: 2016-12-14
公开(公告)号: CN106586952A 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 向东;王璐;王玲;赵智凯;梅婷婷;张天;倪立发;张伟强 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300350 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种精密拉伸碳纳米管的方法,并且利用碳纳米管为电极高效构建单分子结的方法和工艺流程。本发明是利用微纳加工相关技术和机械可控断裂结技术实现的。通过一系列微纳加工流程制作出稳固的单壁碳纳米管芯片,然后把单壁碳纳米管芯片置于三点弯曲装置上,不断弯曲芯片基板会使得单壁碳纳米管断裂,形成间隙可控的电极对,最后通过在间隙内添加有机分子来形成单壁碳纳米管单分子结。由于该方法可以精确调控间隙大小来匹配各种分子长度,所以可以实现单壁碳纳米管分子结的高产量生产,为实现高性能的分子器件奠定了基础,对于分子电子学的发展有着较高的参考价值。
搜索关键词: 成功率 纳米 分子 制备 方法
【主权项】:
一种高成功率的碳纳米管单分子结制备方法,单分子结由弹性钢片、绝缘层、支撑电极对、单壁碳纳米管、金覆盖层、三点弯曲装置组成,其特征在于:弹性钢片可用于放置各种薄膜层,以及利于弯曲;绝缘层用于绝缘上下两层薄膜,以及平整表面;支撑电极对和金覆盖层可用于固定单壁碳纳米管;绝缘层中间部分有一个凹槽,可提供悬空的纳米桥;三点弯曲装置可用于弯曲芯片,精确控制纳米间隙大小。
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