[发明专利]可延展柔性无机光电子器件及其制备方法有效
申请号: | 201611182489.4 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN106783745B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 江宇;徐云;宋国峰;白霖;陈华民;王磊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/142;H01L27/144;H01L27/15 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种可延展柔性无机光电子器件及其制备方法,该方法包括以下步骤:在衬底上生长外延材料,并刻蚀形成多个光电子器件单元,在多个光电子器件单元上制备接触电极;在多个光电子器件单元之间的间隙中形成聚合物‑金属‑聚合物互连结构,并通过接触电极形成电学互连;在聚合物‑金属‑聚合物互连结构上旋涂胶膜,并对胶膜选择性显影去除;将上述结构黏附于预拉伸并固定的柔性可延展衬底上,并腐蚀去除生长有外延材料的衬底;去除剩余的胶膜,逐渐释放预拉伸并固定的柔性可延展衬底,形成翘曲结构,完成器件制备。本方法制备的可延展柔性无机光电子器件,同时具有高可延展性和高占空比的特性。 | ||
搜索关键词: | 延展 柔性 无机 光电子 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种可延展柔性无机光电子器件的制备方法,包括以下步骤:步骤1、在衬底上生长外延材料,并刻蚀形成多个光电子器件单元,在所述多个光电子器件单元上制备接触电极;步骤2、在所述接触电极及多个光电子器件单元之间的间隙中形成聚合物‑金属‑聚合物互连结构;步骤3、在所述聚合物‑金属‑聚合物互连结构上旋涂胶膜,并对所述胶膜选择性显影去除;步骤4、将步骤3制备的结构黏附于预拉伸并固定的柔性可延展衬底上,并腐蚀去除所述生长有外延材料的衬底;步骤5、去除步骤3中剩余的胶膜,逐渐释放所述预拉伸并固定的柔性可延展衬底,形成翘曲结构,完成器件制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造