[发明专利]掺杂ZrO2及制备方法、QLED器件及制备方法有效
| 申请号： | 201611182817.0 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106698510B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 王宇;曹蔚然;杨一行;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G25/02 | 分类号： | C01G25/02;H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开掺杂ZrO2及制备方法、QLED器件及制备方法，方法包括步骤：在锆盐的水溶液中，加入锌源和/或锡源，然后再加入氮源，并加入碱溶液，使反应体系pH=7.5‑9；然后将反应体系在150‑230℃下反应5‑24h；最后将反应后的溶液进行离心分离，并洗涤后，干燥得到掺杂ZrO2。本发明通过将锌源和/或锡源混合到锆盐的溶液中，使得氧化锆中掺入锡和/或锌元素，进而可以调节氧化锆的能级结构，降低了氧化锆的导带能级，提升其功函数，从而降低了载流子注入的势垒；并且可以通过调节能级，使得氧化锆可以和更多的量子点能级匹配；另外通过掺杂氮元素，进而使得氧化锆中产生更多的供体中心，进而促进了电子的传输。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 zro2 制备 方法 qled 器件 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂ZrO2的制备方法，其特征在于，包括步骤：在锆盐的水溶液中，加入锌源和/或锡源，然后再加入氮源，并加入碱性溶液，使反应体系pH＝7.5‑9；然后将反应体系在150‑230℃下反应5‑24h；最后将反应后的溶液进行离心分离，并洗涤后，干燥得到掺杂ZrO2。
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