[发明专利]一种锰离子掺杂Ⅱ型量子点荧光材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201611183005.8 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106701083B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 张家雨;许瑞林 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;G01N21/64;H01L31/04 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 郑立发 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种锰离子掺杂Ⅱ型量子点荧光材料及其制备方法和应用，所述荧光材料为在Ⅱ型量子点A/B的内核A中掺杂入Mn2+形成锰离子掺杂Ⅱ型量子点A:Mn/B，再包覆高质量的宽禁带ZnS壳层，即得所述锰离子掺杂Ⅱ型量子点(A:Mn/B/ZnS)荧光材料。相对于现有技术，本发明通过在Ⅱ型量子点中引入掺杂的二价锰离子Mn2+作为能量中转站和激子耦合器，克服Ⅱ型激子(振子强度低)易被缺陷捕获的弱点，从而提高了Ⅱ型激子的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 荧光材料 锰离子 掺杂 激子 制备方法和应用 中转站 二价锰离子 发光效率 缺陷捕获 掺杂的 宽禁带 耦合器 包覆 壳层 内核 易被 振子 引入 | ||
【主权项】：
1.一种锰离子掺杂Ⅱ型量子点荧光材料，其特征在于，在Ⅱ型量子点A/B中掺杂入Mn2+形成锰离子掺杂Ⅱ型量子点A:Mn/B，再包覆高质量的宽禁带ZnS壳层，即得所述锰离子掺杂Ⅱ型量子点(A:Mn/B/ZnS)荧光材料；所述锰离子掺杂Ⅱ型量子点荧光材料的制备方法，包括以下步骤：(1)制备成核掺杂半导体量子点A：Mn：利用硬脂酸锰和过量的S制备晶核MnS，再包覆A壳层材料，制备掺杂量子点A:Mn，提纯所得量子点并溶解，作为下一步壳层包覆的晶核；(2)包覆高质量的B壳层和ZnS壳层：利用含有壳层元素的前驱体溶液，采用高温快速包覆方法包覆高质量的B壳层和ZnS壳层，得到含有A:Mn/B/ZnS量子点的溶液；(3)提纯步骤(2)制得的A:Mn/B/ZnS量子点，即得所述荧光材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611183005.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：3-吲哚-4-吲唑马来酰亚胺类化合物及其制备方法和应用
- 下一篇：反应腔室
