[发明专利]SiC晶片的生成方法有效
| 申请号： | 201611183289.0 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106945190B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 平田和也;森重幸雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B28D7/00;B23K26/402 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供SiC晶片的生成方法，能够高效地从SiC晶锭生成SiC晶片。一种SiC晶片的生成方法，具备：分离起点形成步骤，将对于SiC晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距SiC晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该SiC晶锭相对地移动来对该端面照射激光束，形成与该端面平行的改质层和从该改质层起进行伸长的裂痕作为分离起点；和晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该SiC晶锭剥离而生成SiC晶片，在该分离起点形成步骤中，将形成聚光点的聚光透镜的数值孔径设定为0.45～0.9，并且将激光束的M |
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| 搜索关键词： | sic 晶片 生成 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC晶片的生成方法，该SiC晶片的生成方法的特征在于，具备：分离起点形成步骤，将对于SiC晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距SiC晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该SiC晶锭相对地移动来对该端面照射激光束，形成与该端面平行的改质层和从该改质层起进行伸长的裂痕作为分离起点；和晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该SiC晶锭剥离而生成SiC晶片，在该分离起点形成步骤中，将形成聚光点的聚光透镜的数值孔径设定为0.45～0.9，并且将激光束的M2因子实质设定为5～50，将聚光点的直径设定为
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
