[发明专利]一种半导体元件的封装方法及封装结构在审
| 申请号： | 201611183678.3 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107045989A | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 江一汉;徐振杰;曹周 | 申请（专利权）人： | 杰群电子科技（东莞）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆,胡彬 |
| 地址： | 523750 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件的封装方法及封装结构。封装方法包括以下步骤S1将引线框架和焊接于引线框架的基岛正面的芯片注塑封装，保持基岛的背面外露于注塑封装层；S2在所述基岛的背面形成绝缘导热层；S3在所述绝缘导热层的表面形成金属散热层。基岛不被塑胶封装，芯片产生的热量可以从基岛通过绝缘导热层和金属散热层快速散发，最外侧的金属散热层可以极大地提高基岛的散热性能，绝缘导热层可以保持基岛和金属散热层之间的绝缘，避免基岛短路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 元件 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将引线框架(1)和焊接于引线框架(1)的基岛(11)正面的芯片(2)注塑封装，保持基岛(11)的背面外露于注塑封装层(3)；S2：在所述基岛(11)的背面形成绝缘导热层(4)；S3：在所述绝缘导热层(4)的表面形成金属散热层(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰群电子科技（东莞）有限公司，未经杰群电子科技（东莞）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611183678.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电池的充放电管理系统
- 下一篇：充电宝
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
