[发明专利]基于Ge基异质结材料的频率可重构全息天线制备方法在审

专利信息
申请号: 201611183887.8 申请日: 2016-12-20
公开(公告)号: CN106783591A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 尹晓雪;张亮 申请(专利权)人: 西安科锐盛创新科技有限公司
主分类号: H01L21/329 分类号: H01L21/329;H01L21/04;H01Q23/00;H01Q7/00;H01Q1/38
代理公司: 西安智萃知识产权代理有限公司61221 代理人: 刘长春
地址: 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种基于Ge基异质结材料的频率可重构全息天线制备方法。该方法包括在GeOI衬底上按照全息天线的结构制作多个横向SPiN二极管,且横向SPiN二极管的P区采用Si材料、i区采用Ge材料及N区采用Si材料以形成Ge基异质SPiN二极管;在多个横向SPiN二极管上依次互连PAD以形成多个SPiN二极管串;制作直流偏置线以连接SPiN二极管串与直流偏置电源;制作同轴馈线以连接第一天线臂及第二天线臂,最终形成全息天线。本发明制备的全息天线体积小、结构简单、易于加工、无复杂馈源结构、频率可快速跳变,且天线关闭时将处于电磁波隐身状态,易于组阵,可用作相控阵天线的基本组成单元。
搜索关键词: 基于 ge 基异质结 材料 频率 可重构 全息 天线 制备 方法
【主权项】:
一种基于Ge基异质结材料的频率可重构全息天线制备方法,其特征在于,所述全息天线包括GeOI材料、第一天线臂、第二天线臂、同轴馈线、直流偏置线及全息圆环;其中,所述制备方法包括:在所述GeOI衬底上按照所述全息天线的结构制作多个横向SPiN二极管,且所述横向SPiN二极管的P区采用Si材料、i区采用Ge材料及N区采用Si材料以形成Ge基异质SPiN二极管;在多个所述横向SPiN二极管上依次互连PAD以形成多个SPiN二极管串;制作直流偏置线以连接所述SPiN二极管串与直流偏置电源;制作所述同轴馈线以连接所述第一天线臂及所述第二天线臂,最终形成所述全息天线。
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