[发明专利]应用于可重构环形天线的Ge基异质SPiN二极管的制备方法在审

专利信息
申请号: 201611183922.6 申请日: 2016-12-20
公开(公告)号: CN106785332A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 尹晓雪;张亮 申请(专利权)人: 西安科锐盛创新科技有限公司
主分类号: H01Q1/22 分类号: H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q5/321;H01L21/329;H01L29/868
代理公司: 西安智萃知识产权代理有限公司61221 代理人: 刘长春
地址: 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种应用于可重构环形天线的Ge基异质SPiN二极管的制备方法,包括选取某一晶向的GeOI衬底,在表面形成第一保护层;利用光刻工艺在第一保护层上形成第一隔离区图形;利用干法刻蚀工艺在第一隔离区图形的指定位置处刻蚀第一保护层及GeOI衬底形成隔离槽,深度大于等于GeOI衬底的顶层Ge的厚度;填充隔离槽形成Ge基异质SPiN二极管的隔离区;刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽,深度小于GeOI衬底的顶层Ge的厚度;填充P型沟槽和N型沟槽,采用离子注入工艺在P型沟槽和N型沟槽内形成P型有源区和N型有源区;在GeOI衬底上形成引线,完成Ge基异质SPiN二极管的制备。本发明利用深槽隔离技术及离子注入工艺制备并提供适用于形成固态天线的Ge基异质SPiN二极管。
搜索关键词: 应用于 可重构 环形 天线 ge 基异质 spin 二极管 制备 方法
【主权项】:
一种应用于可重构环形天线的Ge基异质SPiN二极管的制备方法,其特征在于,所述可重构环形天线包括:半导体基片(1);介质板(2);第一SPIN二极管环(3)、第二SPIN二极管环(4)、第一直流偏置线(5)及第二直流偏置线(6),均设置于所述半导体基片(1)上;耦合式馈源(7),设置于所述介质板(2)上;所述第一SPIN二极管环(3)、所述第二SPIN二极管环(4)、所述第一直流偏置线(5)及所述第二直流偏置线(6)均采用半导体工艺制作在所述半导体基片(1)上;其中,所述可重构环形天线的Ge基异质SPiN二极管的制备方法包括如下步骤:(a)选取某一晶向的GeOI衬底,在所述GeOI衬底表面形成第一保护层;(b)利用光刻工艺在所述第一保护层上形成第一隔离区图形;(c)利用干法刻蚀工艺在所述第一隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第一保护层及所述GeOI衬底以形成隔离槽,且所述隔离槽的深度大于等于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度;(d)填充所述隔离槽以形成所述Ge基异质SPiN二极管的所述隔离区;(e)刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽,所述P型沟槽和所述N型沟槽的深度小于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度;(f)填充所述P型沟槽和所述N型沟槽,并采用离子注入工艺在所述P型沟槽和所述N型沟槽内形成P型有源区和N型有源区;(g)在所述GeOI衬底上形成引线,以完成所述Ge基异质SPiN二极管的制备。
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