[发明专利]制备全息天线的固态等离子二极管制造方法在审
| 申请号： | 201611183923.0 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106654520A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪;张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/36;H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司61221 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备全息天线的固态等离子二极管制造方法。该制造方法包括(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成有源区沟槽；(c)对所述有源区沟槽利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；(d)光刻引线孔并金属化处理以形成所述固态等离子二极管。本发明实施例利用原位掺杂工艺能够制备并提供适用于形成全息天线的高性能固态等离子二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 全息 天线 固态 等离子 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制备全息天线的固态等离子二极管制造方法，其特征在于，所述固态等离子二极管用于制作全息天线，所述全息天线包括：半导体基片(11)、天线模块(13)、第一全息圆环(15)及第二全息圆环(17)；所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均采用半导体工艺制作于所述半导体基片(11)上；其中，所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均包括依次串接的固态等离子二极管串。所述制造方法包括步骤：(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成有源区沟槽；(c)在整个衬底表面淀积第二保护层；(d)采用第二掩膜板，利用光刻工艺在所述第二保护层表面形成P区图形；(e)利用湿法刻蚀工艺去除P区图形上的所述第二保护层；(f)利用原位掺杂工艺，在所述有源区沟槽内淀积P型Si材料形成所述P区；(g)在整个衬底表面淀积第三保护层；(h)采用第三掩膜板，利用光刻工艺在所述第三保护层表面形成N区图形；(i)利用湿法刻蚀工艺去除N区图形上的所述第三保护层；(j)利用原位掺杂工艺，在所述有源区沟槽内淀积N型Si材料形成所述N区；(k)光刻引线孔并金属化处理以形成所述固态等离子二极管。
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