[发明专利]一种具有空气隙的金属互连层结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201611184320.2 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106601667B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 林宏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/52 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有空气隙的金属互连层结构及其制备方法，包括：位于衬底表面的由金属互连线线和填充于其中的填充金属构成的金属互连层；金属互连层的金属互连线线侧壁和填充金属之间具有阻挡层；金属互连线线之间具有空气隙；以及在阻挡层上、金属互连层上和暴露的衬底表面形成有隔离介质；阻挡层高出填充金属顶部的部分为倾斜的变形阻挡层，变形阻挡层向空气隙中心方向倾斜，从而将空气隙上方的开口缩小或者封闭。本发明有效阻止介质填入空气隙内，获得尽可能大的空气隙体积，进而降低了空气隙的有效k值。此外，本发明的方法与现有技术兼容，显著降低了空气隙的有效k值，进而满足未来技术代对铜互连介质的超低k值要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 空气 金属 互连 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有空气隙的金属互连层结构，包括：一衬底；位于衬底表面的由填充有填充金属的金属互连线构成的金属互连层；金属互连层的金属互连线侧壁和填充金属之间具有金属阻挡层；金属互连线之间具有空气隙；以及，在所述金属阻挡层上、所述金属互连层上和暴露的所述衬底表面形成有隔离介质；其特征在于，所述金属阻挡层高出填充金属顶部的部分为倾斜的变形金属阻挡层，变形金属阻挡层向空气隙中心方向倾斜，从而将空气隙上方的开口缩小，所述变形金属阻挡层为经过轰击变形的金属阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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