[发明专利]一种量子点薄膜图像传感器结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种量子点薄膜图像传感器结构及其制造方法，量子点薄膜图像传感器结构自下而上至少包括：衬底层，金属互连层，光电转换层，光电转换层通过位于金属互连层上的隔离结构的隔离，形成与图像传感器像素单元对应并分割的多个光电转换单元，各光电转换单元设有用于进行光电转换的量子点薄膜，量子点薄膜与金属互连层电性连接。本发明通过使用光线敏感度更强的量子点薄膜进行光线的吸收和转换，并将其设置在金属互连层之上，使其更接近镜头，同时采用隔离结构作为像素单元之间的隔离，使得本发明的量子点薄膜图像传感器即使在小尺寸的像素设计中，也可以保证输出图像的质量。

主权项

一种量子点薄膜图像传感器结构，其特征在于，自下而上至少包括：衬底层，金属互连层，光电转换层；其中，所述光电转换层通过位于金属互连层上的隔离结构的隔离，形成与图像传感器像素单元对应并分割的多个光电转换单元，各光电转换单元设有用于进行光电转换的量子点薄膜，所述量子点薄膜与金属互连层电性连接。