[发明专利]用于多层全息天线的GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的pin二极管制备方法在审
| 申请号： | 201611184337.8 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106785333A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪;张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q5/321;H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司61221 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于多层全息天线的GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的pin二极管制备方法。该制备方法包括(a)选取GeOI衬底；(b)刻蚀所述GeOI衬底的顶层Ge层以在所述顶层Ge层内形成第一沟槽和第二沟槽；(c)在所述第一沟槽和所述第二沟槽内淀积GaAs材料；(d)利用离子注入工艺对所述第一沟槽内的GaAs材料进行P型离子注入形成P型有源区，对所述第二沟槽内的GaAs材料进行N型离子注入形成N型有源区；(e)在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线孔并溅射金属形成所述GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的pin二极管。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基pin二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多层 全息 天线 gaas ge 结构 pin 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于多层全息天线的GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的pin二极管制备方法，其特征在于，所述pin二极管用于制造可重构多层全息天线(1)，所述全息天线(1)包括半导体基片(11)、天线模块(13)、第一全息圆环(15)及第二全息圆环(17)；所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均采用半导体工艺制作于所述半导体基片(11)上；其中，所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均包括依次串接的pin二极管串；所述pin二极管制备方法包括：(a)选取GeOI衬底；(b)在所述GeOI衬底表面淀积第一保护层；(c)采用第一掩膜版，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一保护层及所述GeOI衬底以在所述GeOI衬底内形成隔离沟槽；(d)利用CVD工艺在所述隔离沟槽内填充隔离材料；(e)利用CMP工艺去除所述第一保护层及所述隔离沟槽外的所述隔离材料形成所述GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的pin二极管的隔离区；(f)刻蚀所述GeOI衬底的顶层Ge层以在所述顶层Ge层内形成第一沟槽和第二沟槽；(g)在所述第一沟槽和所述第二沟槽内淀积GaAs材料；(h)利用离子注入工艺对所述第一沟槽内的GaAs材料进行P型离子注入形成P型有源区，对所述第二沟槽内的GaAs材料进行N型离子注入形成N型有源区；(i)在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线孔并溅射金属形成所述GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的pin二极管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安科锐盛创新科技有限公司，未经西安科锐盛创新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611184337.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
