[发明专利]用于套筒天线的AlAs/Ge/AlAs固态等离子体PiN二极管串的制备方法

摘要

本发明涉及一种用于套筒天线的AlAs/Ge/AlAs固态等离子体PiN二极管串的制备方法。该制备方法包括选取GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在所述P型沟槽和所述N型沟槽内淀积AlAs材料，并在所述P型沟槽和所述N型沟槽内的AlAs材料进行离子注入形成P型有源区和N型有源区；在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线，以完成所述AlAs/Ge/AlAs固态等离子体PiN二极管串的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基等离子PiN二极管串。

主权项

一种用于套筒天线的AlAs/Ge/AlAs固态等离子体PiN二极管串的制备方法，其特征在于，包括：所述等离子PiN二极管串用于制作套筒天线，所述套筒天线包括：半导体基片(1)、PiN二极管天线臂(2)、第一PiN二极管套筒(3)、第二PiN二极管套筒(4)、同轴馈线(5)、直流偏置线(9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19)；所述制备方法包括步骤：(a)选取GeOI衬底；(b)在所述GeOI衬底表面形成第一保护层；(c)利用光刻工艺在所述第一保护层上形成第一隔离区图形；(d)利用干法刻蚀工艺，在所述第一隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第一保护层及所述GeOI衬底以形成隔离槽，且所述隔离槽的深度大于等于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度；(e)填充所述隔离槽以形成所述隔离区；(f)刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；(g)在所述P型沟槽和所述N型沟槽内淀积AlAs材料，并对所述P型沟槽和所述N型沟槽内的AlAs材料进行离子注入形成P型有源区和N型有源区；以及(h)在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线，以完成所述AlAs/Ge/AlAs固态等离子体PiN二极管串的制备。