[发明专利]多层全息天线中AlAs‑Ge‑AlAs结构基等离子pin二极管的制造方法在审
| 申请号： | 201611184382.3 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106847901A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪;张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L21/04;H01Q23/00;H01Q7/00;H01Q1/38 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司61221 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多层全息天线中AlAs‑Ge‑AlAs结构基等离子pin二极管的制造方法。该制造方法包括选取GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在所述P型沟槽和所述N型沟槽内淀积AlAs材料，并在所述P型沟槽和所述N型沟槽内的AlAs材料进行离子注入形成P型有源区和N型有源区；在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线，以完成所述AlAs‑Ge‑AlAs结构的基等离子pin二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基等离子pin二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 全息 天线 alas ge 结构 等离子 pin 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多层全息天线中AlAs‑Ge‑AlAs结构基等离子pin二极管的制造方法，其特征在于，所述pin二极管用于制备所述全息天线，所述全息天线包括：半导体基片(11)、天线模块(13)、第一全息圆环(15)及第二全息圆环(17)；所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均采用半导体工艺制作于所述半导体基片(11)上；其中，所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均包括依次串接的pin二极管串；所述制造方法包括：(a)选取GeOI衬底，在所述GeOI衬底表面生成SiO2材料以形成第一SiO2层，在所述第一SiO2层表面生成SiN材料以形成第一SiN层，其中，所述第一SiO2层和所述第一SiN层构成所述GeOI衬底表面的第一保护层；(b)利用光刻工艺在所述第一保护层上形成第一隔离区图形；(c)利用干法刻蚀工艺，在所述第一隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第一保护层及所述GeOI衬底以形成隔离槽，且所述隔离槽的深度大于等于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度；(d)填充所述隔离槽以形成隔离区；(e)刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；(f)在所述P型沟槽和所述N型沟槽内淀积AlAs材料，并对所述P型沟槽和所述N型沟槽内的AlAs材料进行离子注入形成P型有源区和N型有源区；(g)在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线，以完成所述AlAs‑Ge‑AlAs结构的基等离子pin二极管的制备。
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