[发明专利]用于套筒天线具有台状有源区的pin二极管串的制备方法有效
| 申请号： | 201611184383.8 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106847902B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 左瑜;张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L21/04;H01Q23/00;H01Q7/00;H01Q1/38 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于套筒天线具有台状有源区的pin二极管串的制备方法。该制备方法包括：(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成台状有源区；(c)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；(d)在所述台状有源区四周淀积多晶Si材料；(e)在所述多晶Si材料表面制作引线光刻PAD以形成所述pin二极管串。本发明实施例利用原位掺杂工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能具有台状有源区的pin二极管串。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 套筒 天线 具有 有源 pin 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于套筒天线具有台状有源区的pin二极管串的制备方法，其特征在于，包括：所述pin二极管串用于制作套筒天线，所述套筒天线包括：半导体基片(1)、pin二极管天线臂(2)、第一pin二极管套筒(3)、第二pin二极管套筒(4)、同轴馈线(5)、直流偏置线(9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19)；所述制备方法包括步骤：(a)选取SOI衬底；(b)利用CVD工艺，在所述SOI衬底表面形成第一保护层；(c)采用第一掩膜版，利用光刻工艺在所述第一保护层上形成有源区图形；(d)利用干法刻蚀工艺，对所述有源区图形的指定位置四周刻蚀所述第一保护层及所述SOI衬底的顶层Si层从而形成所述台状有源区；(e)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；(f)在所述台状有源区四周淀积多晶Si材料；(g)在所述多晶Si材料表面制作引线、光刻PAD并互连，以形成所述pin二极管串。
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