[发明专利]用于可重构环形天线的SiGe基异质SPiN二极管的制备方法在审
| 申请号： | 201611184385.7 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106847903A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪;张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L21/04;H01L29/06;H01L21/265;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q23/00 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司61221 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于可重构环形天线的SiGe基异质SPiN二极管的制备方法，该制备方法包括选取某一晶向的SiGeOI衬底，在SiGeOI衬底上设置隔离区；在所述SiGeOI衬底表面形成第二保护层；利用光刻工艺在所述第二保护层上形成第二隔离区图形；利用干法刻蚀工艺在所述第二隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第二保护层及所述SiGeOI衬底以形成所述P型沟槽和所述N型沟槽；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在所述SiGeOI衬底的顶层SiGe内形成P型有源区和N型有源区；在所述SiGeOI衬底上形成引线，以完成SiGe基异质SPiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能SiGe基异质SPiN二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 可重构 环形 天线 sige 基异质 spin 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于可重构环形天线的SiGe基异质SPiN二极管的制备方法，其特征在于，所述环形天线包括：半导体基片(1)；介质板(2)；第一SPIN二极管环(3)、第二SPIN二极管环(4)、第一直流偏置线(5)及第二直流偏置线(6)，均设置于所述半导体基片(1)上；耦合式馈源(7)，设置于所述介质板(2)上；所述第一SPIN二极管环(3)、所述第二SPIN二极管环(4)、所述第一直流偏置线(5)及所述第二直流偏置线(6)均采用半导体工艺制作在所述半导体基片(1)上；其中，所述环形天线的制备方法包括如下步骤：(a)选取某一晶向的SiGeOI衬底，在SiGeOI衬底上设置隔离区；(b)在所述SiGeOI衬底表面形成第二保护层；(c)利用光刻工艺在所述第二保护层上形成第二隔离区图形；(d)利用干法刻蚀工艺在所述第二隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第二保护层及所述SiGeOI衬底以形成所述P型沟槽和所述N型沟槽；(e)填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在所述SiGeOI衬底的顶层SiGe内形成P型有源区和N型有源区；(f)在所述SiGeOI衬底上形成引线，以完成SiGe基异质SPiN二极管的制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安科锐盛创新科技有限公司，未经西安科锐盛创新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611184385.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种大直径燃气管道地震灾害关闭阀
- 下一篇：防冲击旋启式止回阀装配方法
- 同类专利
- 专利分类
