[发明专利]一种防止电流倒灌的双向IO电路有效
申请号: | 201611184718.6 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN106656148B | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 胡术云;熊龙;毕超;毕磊 | 申请(专利权)人: | 峰岹科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H03K19/003 | 分类号: | H03K19/003;H03K19/0185 |
代理公司: | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人: | 廉红果 |
地址: | 518057 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种防止电流倒灌的双向IO电路,包括双向IO模块,衬底电压偏置模块以及栅极电压偏置模块;所述衬底电压偏置模块,与双向IO模块连接,用于通过输出信号控制双向IO模块内PMOS管的导通情况;所述栅极电压偏置模块,分别与双向IO模块、衬底电压偏置模块连接,用于通过输出信号控制双向IO模块内PMOS管的导通情况和衬底电压偏置模块内PMOS管的导通情况。本发明能够防止电流倒灌。 | ||
搜索关键词: | 一种 防止 电流 倒灌 双向 io 电路 | ||
【主权项】:
一种防止电流倒灌的双向IO电路,其特征在于,包括双向IO模块,衬底电压偏置模块以及栅极电压偏置模块;所述衬底电压偏置模块,与双向IO模块连接,用于通过输出信号控制双向IO模块内PMOS管的导通情况;所述栅极电压偏置模块,分别与双向IO模块、衬底电压偏置模块连接,用于通过输出信号控制双向IO模块内PMOS管的导通情况和衬底电压偏置模块内PMOS管的导通情况。
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