[发明专利]用于可重构偶极子天线的异质Ge基SPiN二极管串的制备方法在审
| 申请号： | 201611184735.X | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106654521A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪;张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q5/321;H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司61221 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于可重构偶极子天线的异质Ge基SPiN二极管串的制备方法，其中，所述可重构偶极子天线包括第一天线臂和第二天线臂，所述第一天线臂和第二天线臂包括多个异质Ge基SPiN二极管串，所述异质Ge基SPIN二极管串的制造方法包括在GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并形成P型有源区和N型有源区；在所述GeOI衬底上形成引线，形成异质Ge基SPIN二极管；在多个所述异质Ge基SPIN二极管上光刻PAD实现多个所述异质Ge基SPIN二极管的串行连接以形成多个所述SPiN二极管串，本发明提供的异质Ge基SPiN二极管串可用于高性能可重构偶极子天线的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 可重构 偶极子 天线 ge spin 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于可重构偶极子天线的异质Ge基SPiN二极管串的制备方法，其特征在于，所述可重构偶极子天线包括第一天线臂和第二天线臂，所述第一天线臂和第二天线臂包括多个异质Ge基SPiN二极管串，所述异质Ge基SPiN二极管串的制造方法包括如下步骤：(a)选取某一晶向的GeOI衬底并在其内设置隔离区；(b)刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，所述P型沟槽和所述N型沟槽的深度小于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度；(c)利用多晶硅填充所述P型沟槽和所述N型沟槽；平整化处理所述GeOI衬底后，在所述GeOI衬底上形成多晶硅层；(d)光刻所述多晶硅层，并采用带胶离子注入的方法对所述P型沟槽和所述N型沟槽所在位置分别注入P型杂质和N型杂质以形成P型有源区和N型有源区且同时形成P型接触区和N型接触区；(e)去除光刻胶；利用湿法刻蚀去除所述P型接触区和所述N型接触区以外的所述多晶硅层；(f)在所述GeOI衬底上形成引线，形成异质Ge基SPiN二极管；(g)在多个所述异质Ge基SPiN二极管上光刻PAD实现多个所述异质Ge基SPiN二极管的串行连接以形成多个所述SPiN二极管串。
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