[发明专利]具有SiO2保护作用的pin二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201611184739.8 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106785334A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪;张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q5/321;H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司61221 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可重构环形天线中有SiO2保护作用的pin二极管串的制备方法。该制备方法包括(a)选取SOI衬底；(b)利用CVD工艺，在所述SOI衬底表面形成第一保护层；(c)采用第一掩膜版，利用光刻工艺在所述第一保护层上形成有源区图形；(d)利用干法刻蚀工艺，在所述有源区图形的指定位置处刻蚀所述第一保护层及所述SOI衬底的顶层Si层从而形成有所述有源区沟槽；(e)对所述有源区沟槽利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；(f)光刻引线孔并金属化处理以形成所述pin二极管串。本发明实施例利用原位掺杂工艺能够制备并提供适用于形成可重构环形天线的高性能具有SiO2保护作用的pin二极管串。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 sio2 保护 作用 pin 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种可重构环形天线中有SiO2保护作用的pin二极管串的制备方法，其特征在于，所述pin二极管用于制作可重构环形天线，所述环形天线包括：半导体基片(1)；介质板(2)；第一pin二极管环(3)、第二pin二极管环(4)、第一直流偏置线(5)及第二直流偏置线(6)，均设置于所述半导体基片(1)上；耦合式馈源(7)，设置于所述介质板(2)上。所述制备方法包括步骤：(a)选取SOI衬底；(b)利用CVD工艺，在所述SOI衬底表面形成第一保护层；(c)采用第一掩膜版，利用光刻工艺在所述第一保护层上形成有源区图形；(d)利用干法刻蚀工艺，在所述有源区图形的指定位置处刻蚀所述第一保护层及所述SOI衬底的顶层Si层从而形成有所述有源区沟槽；(e)对所述有源区沟槽利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；(f)光刻引线孔并金属化处理以形成所述pin二极管串。
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