[发明专利]一种硅基倒置微带线结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201611185444.2 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106684515B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 吕玲;王少波;杜林;马晓华;张进成;曹艳荣;习鹤;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P3/08 | 分类号： | H01P3/08;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基倒置微带线结构及其制作方法，主要解决标准微带线和传统倒置微带线在传输毫米波亚毫米波是损耗大以及加工精度低的问题。该硅基倒置微带线结构包括微带线，悬置层，硅基片，腔体，金属接地层，其中硅基片层包括上硅基片和下硅基片；倒置层位于上硅基片的上表面；微带线包括下金属层和上金属层，上金属层固定在倒置层中，下金属层制备在上金属层的下表面，并暴露在腔体中；腔体刻蚀在上硅基片之内，位于微带线正下方，并将微带线悬空；金属接地层位于腔体的下方，并嵌入在上硅基片和下硅基片之间。本发明制作方法的加工精度高，实现了一种低损耗，加工简单的毫米波传输线结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒置 微带 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基倒置微带线结构，其特征在于：包括由下至上依次设置的下硅基片(32)、上硅基片(31)及倒置层(2)；所述的上硅基片(31)采用110硅，上硅基片(31)沿110晶面刻蚀有缺口，缺口与倒置层(2)的下表面以及下硅基片(32)的上表面围成腔体(4)，倒置层(2)的下表面上设置微带线(1)，微带线(1)包括嵌入在倒置层(2)下表面上的上金属层(11)及制备在上金属层(11)的下表面且裸露在腔体(4)中的下金属层(12)；上硅基片(31)与下硅基片(32)之间设有金属接地层(5)；倒置层(2)采用SU8光刻胶制备。
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