[发明专利]基于半导体纳米材料的等离激元增强光电探测器及其制备方法

摘要

本发明提供一种基于半导体纳米材料的等离激元增强光电探测器及其制备方法。该光电探测器以半导体纳米材料作为电极之间的导电沟道，至少一端的电极采用等离激元增强电极结构，该等离激元增强电极结构采用斧状周期结构。在制备该光电探测器时，可以先得到沟道材料再制备等离激元增强电极结构在其上，也可以先制备等离激元增强电极结构再覆盖沟道材料。本发明可以有效地提高对特定波长范围(300‑10000纳米)入射光能量的利用率，起到提高量子效率的增强效果；且制作工艺简单，无需掺杂，电极加工与微加工方式兼容，尺寸可灵活设计以满足特定波长范围增强的需求。

主权项

1.基于半导体纳米材料的等离激元增强光电探测器，该光电探测器以半导体纳米材料作为电极之间的导电沟道，至少一端的电极采用等离激元增强电极结构，其特征在于，所述等离激元增强电极结构为斧状周期结构，所述斧状周期结构为三维结构，所述斧状周期结构从垂直于光电探测器所在衬底的方向俯视时为斧状截面，所述斧状截面中包括斧头部分和斧柄部分，以斧头部分的刀口朝向为上时，所述斧头部分的形状为上宽下窄的梯形，宽边平行于斧柄部分，窄边连接斧柄部分，所述斧头部分的刀口为直线形且朝向导电沟道的方向，所述斧柄部分首尾连成一行放置，所述斧柄部分为矩形截面的柱形，所述三维斧状周期结构的厚度均相等。