[发明专利]用于硅片水平提拉的加热装置在审
| 申请号： | 201611186237.9 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106521622A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 徐晓东;丁建宁;袁宁一 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C30B28/10 | 分类号： | C30B28/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于硅片水平提拉的加热装置，其特征是，包括坩埚以及控制系统，所述坩埚内形成熔化区、液相区以及结晶区，所述熔化区和液相区的底部相通，所述结晶区与液相区相通；坩埚上设置有溶液控温系统，用于控制硅颗粒在熔化区内的熔化以及液相区内硅溶液基础温度；钳锅上设置有用于结晶控温系统，用于控制硅片结晶所需要的温度梯度；控制系统分别与溶液控温系统和结晶控温系统连接。加热装置使用方便，对温度梯度控制精准，运行稳定，实现对硅片的水平提拉。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 硅片 水平 加热 装置 | ||
【主权项】：
一种用于硅片水平提拉的加热装置，其特征是，包括坩埚（1）以及控制系统，所述坩埚（1）内形成熔化区、液相区以及结晶区，所述熔化区和液相区的底部相通，所述结晶区与液相区相通；所述坩埚（1）上设置有溶液控温系统，用于控制硅颗粒在熔化区内的熔化以及液相区内硅溶液基础温度；所述钳锅上设置有用于结晶控温系统，用于控制硅片结晶所需要的温度梯度；所述控制系统分别与溶液控温系统和结晶控温系统连接。
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