[发明专利]混合相态硫化钨修饰的氧化亚铜双层析氢光电极及制备有效
| 申请号： | 201611186402.0 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106702450B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈莹;王玥 | 申请（专利权）人： | 天津大学仁爱学院 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C25B11/06;C25B1/04 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人： | 王小静 |
| 地址： | 301636 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种混合相态硫化钨修饰的氧化亚铜双层析氢光电极及制备方法。该电极以FTO玻璃为基底，其上沉积氧化亚铜薄膜层，薄膜层的厚度为0.8‑1.0μm，该薄膜层之上是混合相态硫化钨薄膜层，混合相态是由2H‑WS2和1T‑WS2构成，该薄膜层的厚度为0.2‑0.4μm，两薄膜层的质量比为1:0.15～0.30。其制备方法包括，在FTO玻璃上电沉积制备Cu2O薄膜，对WS2插层剥离得M‑WS2溶液，将Cu2O薄膜在M‑WS2溶液中制得混合相态硫化钨薄膜层。该电极用于光电催化分解水制备氢气。本发明的优点在于，制备过程简单，制得电极不含贵金属，成本较低，光电析氢效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜层 混合相态 电极 制备 硫化钨 氧化亚铜 双层析 氢光 修饰 沉积 氧化亚铜薄膜层 光电催化 制备过程 贵金属 氢气 分解水 质量比 插层 基底 上电 析氢 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种混合相态硫化钨修饰的氧化亚铜双层析氢光电极，该析氢光电极以氟掺杂的二氧化锡玻璃为工作电极，Ag/AgCl作为参比电极，铂片电极作为对电极进行电解制备，其特征在于，在二氧化锡玻璃为工作电极上电沉积氧化亚铜薄膜层，氧化亚铜薄膜层的厚度为0.8～1.0μm，氧化亚铜薄膜层之上是由具有半导体性质的相态2H‑WS2和具有金属性质的相态1T‑WS2相态按质量比（0.5‑0.25）：（0.5‑0.75）构成的混合相态硫化钨薄膜层，混合相态硫化钨薄膜层的厚度为0.2～0.4μm，其中，氧化亚铜薄膜层与混合相态硫化钨薄膜层的质量比为1:0.15～0.30。
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