[发明专利]具备SiO2保护层的频率可重构全息天线的制备方法在审
| 申请号： | 201611187761.8 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106785336A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 胡辉勇;王斌;苗渊浩;张鹤鸣;苏汉;郝敏如;宣荣喜;舒斌;宋建军;康海燕 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q5/321;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司44393 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具备SiO2保护层的频率可重构全息天线的制备方法，所述全息天线包括SOI衬底、第一天线臂、第二天线臂及全息圆环；其中，所述制备方法包括选取SOI衬底；制备具备SiO2保护层的固态等离子体PiN二极管；所述固态等离子体PiN二极管依次首尾相连构成固态等离子体PiN二极管串；由多段所述固态等离子体PiN二极管串组成所述第一天线臂、第二天线臂及全息圆环；制作所述直流偏置线和同轴馈线；以形成所述可重构全息天线。本发明制备的全息天线体积小、结构简单、易于加工、无复杂馈源结构、频率可快速跳变，且天线关闭时将处于电磁波隐身状态，易于组阵，可用作相控阵天线的基本组成单元。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 sio2 保护层 频率 可重构 全息 天线 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具备SiO2保护层的频率可重构全息天线的制备方法，其特征在于，所述全息天线包括SOI衬底、第一天线臂、第二天线臂及全息圆环；其中，所述制备方法包括：选取SOI衬底；刻蚀所述SOI衬底形成有源区沟槽；对所述有源区沟槽分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；光刻引线孔并金属化处理以形成具备SiO2保护层的固态等离子体PiN二极管；所述固态等离子体PiN二极管依次首尾相连构成固态等离子体PiN二极管串；由多段所述固态等离子体PiN二极管串组成所述第一天线臂、第二天线臂及全息圆环；制作所述直流偏置线和同轴馈线；以形成所述可重构全息天线。
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