[发明专利]可重构环形天线中的异质Ge基PIN二极管串的制备方法

摘要

本发明涉及一种可重构环形天线中的异质Ge基PIN二极管串的制备方法，包括：选取某一晶向的GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，所述P型沟槽和所述N型沟槽的深度小于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度；氧化所述P型沟槽和所述N型沟槽以使所述P型沟槽和所述N型沟槽的内壁形成氧化层；利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的氧化层以完成所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的平整化；填充所述P型沟槽和所述N型沟槽；在所述GeOI衬底上形成引线，以完成所述Ge基PIN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能异质Ge基PIN二极管串。

主权项

一种可重构环形天线中的异质Ge基PIN二极管串的制备方法，其特征在于，所述Ge基PIN二极管用于制作固态等离子天线，所述环形天线包括：半导体基片(1)；介质板(2)；第一PIN二极管环(3)、第二PIN二极管环(4)、第一直流偏置线(5)及第二直流偏置线(6)，均设置于所述半导体基片(1)上；耦合式馈源(7)，设置于所述介质板(2)上；所述第一PIN二极管环(3)、所述第二PIN二极管环(4)、所述第一直流偏置线(5)及所述第二直流偏置线(6)均采用半导体工艺制作在所述半导体基片(1)上；其中，所述环形天线的制备方法包括如下步骤：(a)选取某一晶向的GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区；(b)刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，所述P型沟槽和所述N型沟槽的深度小于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度；(c)氧化所述P型沟槽和所述N型沟槽以使所述P型沟槽和所述N型沟槽的内壁形成氧化层；(d)利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的氧化层以完成所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的平整化；(e)填充所述P型沟槽和所述N型沟槽；(f)在所述GeOI衬底上形成引线以制备所述异质Ge基PIN二极管，由多个所述异质Ge基PIN二极管依次首尾相连构成所述异质Ge基PIN二极管串。