[发明专利]一种Si‑Ge‑Si异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件在审
| 申请号： | 201611187932.7 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106783601A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 胡辉勇;王禹;朱翔宇;张鹤鸣;宣荣喜;舒斌;宋建军;苏汉;苗渊浩 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司44393 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Si‑Ge‑Si异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件，该制备方法包括选取某一晶向的GeOI衬底，并在GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于GeOI衬底的顶层Ge的厚度；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入工艺在P型沟槽和N型沟槽内形成P型有源区和N型有源区；在GeOI衬底上形成引线，以完成异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能异质Ge基固态等离子体PiN二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si ge 异质 固态 等离子体 pin 二极管 制备 方法 及其 器件 | ||
【主权项】：
一种Si‑Ge‑Si异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件，其特征在于，所述异质Ge基固态等离子体PiN二极管用于制作固态等离子天线，所述制备方法包括步骤：(a)选取某一晶向的GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区；(b)刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，所述P型沟槽和所述N型沟槽的深度小于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度；(c)填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入工艺在所述P型沟槽和所述N型沟槽内形成P型有源区和N型有源区；以及(d)在所述GeOI衬底上形成引线，以完成所述异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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