[发明专利]基于异质Ge材料形成的频率可重构全息天线的制备方法在审
| 申请号： | 201611187934.6 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106785337A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李妤晨 | 申请（专利权）人： | 西安科技大学 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q5/321;H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司44393 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710054 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于异质Ge材料形成的频率可重构全息天线的制备方法。该方法包括在GeOI衬底上按照全息天线的结构制作多个异质Ge基SPiN二极管，且异质Ge基SPiN二极管的P区采用SiGe材料、i区采用Ge材料及N区采用SiGe材料；将多个异质Ge基SPiN二极管依次互连PAD以形成多个异质Ge基SPiN二极管串；在异质Ge基SPiN二极管串与直流偏置电源之间采用半导体工艺制作直流偏置线以实现异质Ge基SPiN二极管串与直流偏置电源的连接；制作同轴馈线以连接第一天线臂及第二天线臂，最终形成全息天线。本发明制备的全息天线体积小、结构简单、易于加工、无复杂馈源结构、频率可快速跳变，且天线关闭时将处于电磁波隐身状态，易于组阵，可用作相控阵天线的基本组成单元。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 ge 材料 形成 频率 可重构 全息 天线 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于异质Ge材料形成的频率可重构全息天线的制备方法，其特征在于，所述全息天线包括GeOI材料、第一天线臂、第二天线臂、同轴馈线、直流偏置线及全息圆环；其中，所述制备方法包括：在所述GeOI衬底上按照所述全息天线的结构制作多个异质Ge基SPiN二极管，且所述异质Ge基SPiN二极管的P区采用SiGe材料、i区采用Ge材料及N区采用SiGe材料；将多个所述异质Ge基SPiN二极管依次互连PAD以形成多个异质Ge基SPiN二极管串；在所述异质Ge基SPiN二极管串与直流偏置电源之间采用半导体工艺制作直流偏置线以实现所述异质Ge基SPiN二极管串与直流偏置电源的连接；制作所述同轴馈线以连接所述第一天线臂及所述第二天线臂，最终形成所述全息天线。
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