[发明专利]一种SiGe基固态等离子体PiN二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201611187942.0 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106711236B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 胡辉勇;苏汉;卢少锋;张鹤鸣;舒斌;宋建军;宣荣喜;王禹 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 闫家伟 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种SiGe基固态等离子体PiN二极管及其制备方法，该制备方法包括：选取某一晶向的SiGeOI衬底，在SiGeOI衬底上设置隔离区；刻蚀所述衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于衬底的顶层SiGe的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在衬底的顶层SiGe内形成第二P型有源区和第二N型有源区；在衬底上形成引线，以完成SiGe基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能SiGe基固态等离子体PiN二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sige 固态 等离子体 pin 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611187942.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
